UMH4NTN - Rohm Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase UMH4NTN

UMH4NTN

รุ่นผลิตภัณฑ์:: UMH4NTN

ผู้ผลิต:: LAPIS Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15482 Pieces

แผ่นข้อมูล:: UMH4NTN.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ UMH4NTN เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา UMH4NTN ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ UMH4NTN กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	UMT6
ชุด:	-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):	-
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):	10k
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	150mW
บรรจุภัณฑ์:	Cut Tape (CT)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
ชื่ออื่น:	UMH4NTNCT
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	UMH4NTN
ความถี่ - การเปลี่ยน:	250MHz
ขยายคำอธิบาย:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
ลักษณะ:	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	100 @ 1mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	-
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ UMH4NTN

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
BCR 116S E6727	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	การสอบสวน
BCR 148S H6827	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	การสอบสวน
PEMB10,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT666	การสอบสวน
DCX143EH-7	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	การสอบสวน
DDA114EK-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest