ซื้อ STD11N60M2-EP กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±25V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DPAK |
ชุด: | MDmesh™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 595 mOhm @ 3.75A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 85W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | 497-16936-2 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 26 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | STD11N60M2-EP |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 390pF @ 100V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12.4nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount DPAK |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
ลักษณะ: | N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP., |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 7.5A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |