SSM6N36FE,LM
SSM6N36FE,LM
รุ่นผลิตภัณฑ์:
SSM6N36FE,LM
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12503 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.SSM6N36FE,LM.pdf2.SSM6N36FE,LM.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ SSM6N36FE,LM เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา SSM6N36FE,LM ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ SSM6N36FE,LM กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 1mA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ES6 (1.6x1.6)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:630 mOhm @ 200mA, 5V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:150mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
ชื่ออื่น:SSM6N36FE(TE85L,F)
SSM6N36FE(TE85LF)TR
SSM6N36FE(TE85LF)TR-ND
SSM6N36FE,LM(B
SSM6N36FE,LM(T
SSM6N36FELM(TTR
SSM6N36FELM(TTR-ND
SSM6N36FELMTR
SSM6N36FETE85LF
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:SSM6N36FE,LM
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:46pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:1.23nC @ 4V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 500mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A ES6
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:500mA
Email:sales@bychips.com

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ
Loading...