ซื้อ SPS01N60C3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.9V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO251-3 |
ชุด: | CoolMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 11W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
ชื่ออื่น: | SP000235876 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SPS01N60C3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 100pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 5nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 800mA (Tc) 11W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 800mA (Tc) |
Email: | [email protected] |