ซื้อ SI4686DY-T1-GE3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
ชุด: | TrenchFET®, WFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3W (Ta), 5.2W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ชื่ออื่น: | SI4686DY-T1-GE3TR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 24 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI4686DY-T1-GE3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1220pF @ 15V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 18.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |