ซื้อ SI4196DY-T1-E3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 1V @ 250µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | 8-SO |
ชุด: | TrenchFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 27 mOhm @ 8A, 4.5V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2W (Ta), 4.6W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | SI4196DY-T1-E3 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 830pF @ 10V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 22nC @ 8V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 20V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |