ซื้อ IXFN80N50 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IXFN80N50
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXFN80N50
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16694 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IXFN80N50.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFN80N50 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFN80N50 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | SOT-227B |
| ชุด: | HiPerFET™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 500mA, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 780W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | SOT-227-4, miniBLOC |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Chassis Mount |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFN80N50 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 9890pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 380nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 500V 80A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 500V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFN80N50
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN80N48 | IXYS | MOSFET N-CH 480V 80A SOT-227B | การสอบสวน |
|
IXFN80N50Q2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B | การสอบสวน |
 |
AO7414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 20V 2A SC70-3 | การสอบสวน |
|
IXFN80N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
BSZ042N04NS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | การสอบสวน |
|
IXFN82N60Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 | การสอบสวน |
 |
SI2341DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 | การสอบสวน |
 |
NVD6414ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 34A DPAK | การสอบสวน |
|
IXFN82N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B | การสอบสวน |
|
IXFN80N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 63A SOT-227 | การสอบสวน |
|
IXFN80N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B | การสอบสวน |
 |
IRL60SL216 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog