ซื้อ IXFH11N80 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 4mA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-247AD (IXFH) |
ชุด: | HiPerFET™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 300W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-247-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFH11N80 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4200pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 155nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 800V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 800V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 800V 11A TO-247AD |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 11A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |