ซื้อ IRL2910STRLPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±16V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | D2PAK |
ชุด: | HEXFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 26 mOhm @ 29A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
ชื่ออื่น: | IRL2910STRLPBFDKR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRL2910STRLPBF |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3700pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 140nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 4V, 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 55A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |