ซื้อ IRF6775MTRPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 100µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | DIRECTFET™ MZ |
ชุด: | HEXFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 56 mOhm @ 5.6A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | DirectFET™ Isometric MZ |
ชื่ออื่น: | IRF6775MTRPBF-ND IRF6775MTRPBFTR SP001562042 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 12 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRF6775MTRPBF |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1411pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 150V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 150V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 4.9A (Ta), 28A (Tc) |
Email: | [email protected] |