ซื้อ IPI70P04P409AKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 120µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO262-3-1 |
ชุด: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 9.4 mOhm @ 70A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 75W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ชื่ออื่น: | SP000735974 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 14 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPI70P04P409AKSA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4810pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 40V 72A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH TO262-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 72A (Tc) |
Email: | [email protected] |