ซื้อ IPD100N06S403ATMA2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPD100N06S403ATMA2
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPD100N06S403ATMA2
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 16334 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPD100N06S403ATMA2.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD100N06S403ATMA2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD100N06S403ATMA2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 90µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3-11 |
| ชุด: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 150W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| ชื่ออื่น: | SP001028766 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 26 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPD100N06S403ATMA2 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 10400pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 128nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 60V 100A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 60V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPD100N06S403ATMA2
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD10N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | การสอบสวน |
 |
IPD100N04S4L02ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_30/40V | การสอบสวน |
|
IPD100N06S403ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 | การสอบสวน |
 |
IPD100N04S402ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3-313 | การสอบสวน |
|
IPD105N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3 | การสอบสวน |
 |
IRF9Z14STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPD10N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A DPAK | การสอบสวน |
 |
FDMC8462 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 14A POWER33 | การสอบสวน |
|
IPD105N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 35A TO252-3 | การสอบสวน |
 |
STF9NK60ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog