CM50DY-12H - Powerex Inc. - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล CM50DY-12H

CM50DY-12H

รุ่นผลิตภัณฑ์:: CM50DY-12H

ผู้ผลิต:: Powerex, Inc.

ลักษณะ:: IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 16260 Pieces

แผ่นข้อมูล:: CM50DY-12H.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ CM50DY-12H เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา CM50DY-12H ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ CM50DY-12H กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	600V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	2.8V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	Module
ชุด:	IGBTMOD™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	250W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Module
ชื่ออื่น:	835-1095 CM50DY-12H-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:	-40°C ~ 150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	CM50DY-12H
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	5nF @ 10V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	-
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module Half Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount Module
ลักษณะ:	IGBT MOD DUAL 600V 50A H SER
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	1mA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	50A
องค์ประกอบ:	Half Bridge
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ CM50DY-12H

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
CM50DY-24H	Powerex Inc.	IGBT MOD DUAL 1200V 50A H SER	การสอบสวน
VID25-06P1	IXYS	MOD IGBT BOOST/CHOP 600V ECOPAC2	การสอบสวน
APTGT75SK120D1G	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 110A 357W D1	การสอบสวน
CM50DY-28H	Powerex Inc.	IGBT MOD DUAL 1400V 50A H SER	การสอบสวน
APTGT400U170D4G	Microsemi Corporation	IGBT 1700V 800A 2080W D4	การสอบสวน
MG12150S-BN2MM	Littelfuse Inc.	IGBT 1200V 200A 625W PKG S	การสอบสวน
IXSN52N60AU1	IXYS	IGBT FRD 600V 80A SCSOA SOT227B	การสอบสวน
MII100-12A3	IXYS	IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA	การสอบสวน
IRG7U100HF12A	Infineon Technologies	MOD IGBT 1200V 100A POWIR 34	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest