ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
รุ่นผลิตภัณฑ์:
NTZS3151PT1H
ผู้ผลิต:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18926 Pieces
แผ่นข้อมูล:
NTZS3151PT1H.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ NTZS3151PT1H เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา NTZS3151PT1H ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ NTZS3151PT1H กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:1V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:SOT-563-6
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:150 mOhm @ 950mA, 4.5V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):170mW (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:NTZS3151PT1H
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:458pF @ 16V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:5.6nC @ 4.5V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563-6
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):20V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:860mA (Ta)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ NTZS3151PT1H

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
RP1E090XNTCR Image RP1E090XNTCR Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 9A MPT6 การสอบสวน
NTZS3151PT5G Image NTZS3151PT5G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 การสอบสวน
NTZS3151PT1G Image NTZS3151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 การสอบสวน
IXTT36P10 Image IXTT36P10 IXYS MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 การสอบสวน
IPB45N06S3L-13 Image IPB45N06S3L-13 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 การสอบสวน
IXFH94N30P3 Image IXFH94N30P3 IXYS MOSFET N-CH 300V 94A TO-247 การสอบสวน
FQP4N90 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 900V 4.2A TO-220 การสอบสวน
NTE4153NT1G Image NTE4153NT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 20V 915MA SC-89 การสอบสวน
IPB04N03LB Image IPB04N03LB Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK การสอบสวน
APT7M120S Image APT7M120S Microsemi Corporation MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK การสอบสวน
NVJS4151PT1G Image NVJS4151PT1G ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88 การสอบสวน
SI1473DH-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 การสอบสวน
NVMFS5C612NLT1G Image NVMFS5C612NLT1G ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 36A SO8FL การสอบสวน

ข่าว Latest